Етцхинг
1) Идите на БСГ
Силицијумске плочице се перу у машини за чишћење ланаца плутањем на води (са полеђином у контакту са раствором киселине) да би се уклонио БСГ са задње стране. Главна компонента раствора киселине је 24,5% ХФ, а главна једначина хемијске реакције укључује:
ХФ+СиО2→СиФ4+Х2О
СиФ4+ХФ→Х2СиФ6
Након прања водом и сушења ветрометром, улази у следећи процес. Опрема машине за чишћење БСГ је полузатворени уређај који укључује резервоар за киселину, резервоар за чишћење чисте воде и систем индуковане промаје за стварање окружења са микро негативним притиском унутар опреме и прикупљање испарљивих гасова.
Главно загађење у овом процесу укључује кисели отпадни гас (Г4) који садржи ХФ, који се сакупља кроз цевоводе и шаље у кулу за чишћење киселог отпадног гаса на третман. Висока концентрација киселе отпадне воде која садржи флуороводоничну киселину (В10) и опште киселе отпадне воде за чишћење (В11).
2) Позадинско гравирање
Да би се побољшала рефлективност задње стране силицијумске плочице, задња страна силицијумске плочице је полирана алкалијом и средством за полирање.
Одељак за алкално полирање (6 линија) укључује модуле као што су претходно чишћење, прање водом, алкално полирање * 2, чишћење водоник пероксидом (резервисано), микро сомот (резервисано), чишћење чистом водом, накнадно чишћење, чишћење чистом водом, прање киселином * 2, прање чистом водом након прања киселином, споро повлачење пре дехидрације, сушење * 5, итд. Цео процес нагризања леђа се аутоматски преноси напоље, користећи ручицу за пренос да се претходно очишћене силиконске плочице шаљу у подручје за напајање машине за алкално полирање. Силицијумске плочице пролазе кроз различите резервоаре за корозију и чишћење у аутоматској затвореној машини за алкално полирање кроз ваљке. Опрема аутоматски контролише допуњавање киселине, алкалног раствора и чисте воде у сваком модулу. Раствор киселина и алкалија у резервоару се пумпају кроз цевоводе, а отпадне воде из резервоара се редовно испуштају.
3) Претходно чишћење
Након обраде, силицијумска плочица улази у резервоар за чишћење како би уклонила преостале органске материје и осигурала чистоћу површине силицијумске плочице, чиме се у одређеној мери побољшава ефикасност конверзије батерије. Потопите напуњене силиконске плочице у претходно чишћење, додајте чисту воду у резервоар и додајте одговарајућу количину раствора НаОХ или раствора за чишћење (очекује се да концентрација НаОХ буде {{0}}.39%, концентрација Х2О2 је очекује се 0,61%) према односу за високотемпературно чишћење (60 степени). Извршите чишћење чистом водом након претходног чишћења. Чишћење чистом водом је чишћење преливом потапањем, које се изводи на собној температури у трајању од 100 секунди.
4) Алкално полирање и прање
Резервоар за алкално полирање је опремљен чистом водом и додата је одговарајућа количина раствора НаОХ и адитива за полирање (раствор НаОХ је око 1,6%, концентрација средства за полирање је 0,97%). Затим се задња површина силицијумске плочице полира на радној температури од 65 степени. Оперите алкалијом пре испирања чистом водом. Хемијске реакције које се дешавају током процеса бацања алкалија су следеће:
Си+2НаОХ+Х2О=На2СиО3+2Х2↑
Радна температура алкалног резервоара за прање је 65 степени, а време алкалног прања је контролисано на 220с.
5) Пост чишћење и производња микро сомота
Додајте чисту воду у резервоар и додајте одговарајуће количине раствора НаОХ и водоник пероксида (раствор НаОХ око {{0}}.55%, концентрација водоник-пероксида 0,25%) према односу за чишћење на собној температури. Након чишћења извршите чишћење чистом водом.
Хемијске реакције које се дешавају током процеса микро сомота су следеће:
Си+2НаОХ+Х2О=На2СиО3+2Х2↑
6) Киселинско прање
Након накнадног чишћења, за чишћење високе чистоће треба користити раствор разблажене киселине ({{0}}.9% ХЦл и 0,23% ХФ). Функција ХЦл је да неутралише резидуални НаОХ, док је функција ХФ да уклони оксидни слој на површини силицијумске плочице, чинећи је хидрофобнијом и формирајући силицијумски комплекс Х2СиФ6. Кроз комплексирање са металним јонима, метални јони се одвајају од површине силицијумске плочице, смањујући садржај металних јона и припремајући се за дифузионо везивање. Очистите чистом водом након прања киселином.
Хемијске реакције које се дешавају током процеса кисељења су следеће:
ХЦл+НаОХ=НаЦл+Х2О
СиО2+6ХФ=Х2СиФ6+2Х2О
Радна температура резервоара за кисељење је на собној температури, а време кисељења се контролише на 100 секунди.
7) Сушење
Пренесите полако извучену претходно дехидрирану кристалну силицијумску плочицу у резервоар за сушење и дувајте врући ваздух на 90 степени горе-доле на плочицу за сушење, користећи електрично грејање.
У горе поменутом процесу нагризања, процеси претходног чишћења, алкалног полирања и накнадног чишћења стварају алкалну отпадну воду високе концентрације која садржи натријум хидроксид (В12, В14, В16) и отпадну воду општег алкалног чишћења (В13, В15, В17). Процес киселог прања ствара високу концентрацију киселе отпадне воде која садржи хлороводоничну киселину и флуороводоничну киселину (В18) и опште киселе отпадне воде за чишћење (В19, В20). Наведена операција се изводи у затвореној машини за бацање алкалија. Процес киселог прања ће испарити и произвести кисели отпадни гас (Г5) који садржи ХЦл и ХФ, који ће се сакупљати кроз цевоводе и послати у торањ за прање киселог отпадног гаса на третман.
Ин ситу допинг депозиције ПОПАИД-а
ПОПАИД процес је кључна техника за припрему плочастих премаза интеграцијом тунелских оксидних слојева и допираних слојева кристалног силицијума.
Прво, силицијумска плочица улази у комору за пуњење под атмосферским условима, транспортује се у комору за предгревање од 300 степени, а затим улази у процесну комору ПО. У овом тренутку, О2 се транспортује до блока за одвајање гаса кроз душник, и активира га РФ напајање да би се јонизовало. Јони оксидирају на површини силицијумске плочице, формирајући тунелски слој оксида; Затим силицијумска плочица пролази кроз прелазну и пуферску комору и преноси се у плаћену комору. Плаћени извор таложи одређену дебљину аморфног силицијума на полеђини супстрата, а гас ПХ3 се уводи током процеса таложења. Гасни фосфин улази у машину и побуђује се у стање фосфорних јона помоћу 10кев и 0.5-2кев високонапонске радио фреквенције. Висок напон једносмерне струје се додаје између извора јона и земље, тако да јони фосфора добијају енергију кроз високонапонско електрично поље. Ширина снопа је 420 мм, а затим се силицијумска плочица преноси на дно греде. Током процеса летења атома плаћеног извора према супстрату, они носе П јоне или реагују са П јонима да би постигли ин-ситу допинг фосфора.
Главна једначина реакције је: ПО+ПАИД＝ПОПАИД
Плазма оксидација (ПО): СиХ4+О2 → СиО2
Плазма потпомогнута ин ситу допинг (ПАИД): Си (извор)+ПХ3 → н-Си
Након што је реакција завршена, азот се дува и јон се убризгава у самостални адсорбент, са ефикасношћу третмана до 100%. Концентрација фосфина пре уласка у адсорпциону кулу је 179,05ппм, а након адсорпције се не детектује ПХ3. Овај пројекат планира да се овај издувни гас повеже са торњем за отпадни гас ДА003 ради третмана, а затим га испусти. Истовремено, предузеће планира да инсталира аутоматски аларм за цурење фосфора са границом детекције од 0,1мг/м3.
Анализа процеса производње загађења: Главни процеси загађивања у овом процесу су Ар, ПХ3 и Н2 уведени током процеса, који се сакупљају наменским цевима и шаљу у кулу за чишћење киселог отпадног гаса на третман.